Bonjour,
Plusieurs méthodes sont possibles :
A/Citée en premier bien sûr, la méthode Meyer avec transfo élévateur et deux selfs :
Éventuellement en mode différentiel :
Montage Naudin (même principe quand même) :
B/Sans transfo élévateur, montage qui, à priori, sera utilisé par Tom et Christophe :
Avec bien sûr, toujours la possibilité d'adopter le mode différentiel :
Pour ma part, c'est le montage A/ qui aurait ma préférence (quoique ?
).
Peut-être parce que la possibilité de rajouter plus facilement ce fameux bobinage qui fournira un signal représentant le déphasage, donc le moment de résonance.
Mais comme toujours, seuls des tests pourront confirmer ou infirmer la chose.
Et je rajoute une autre méthode :
C/La plus classique des classiques.
Utiliser la self seule pour obtenir cette surtension.
Même principe qu'une commande de relai ou nous sommes obligés de rajouter une diode de roue libre pour protéger le transistor de commande.
Alors bien sûr sans diode puisque nous voulons justement cette surtension
Je rappelle que la cellule, étant parfaitement isolée, présente une résistance très importante.Q1 sera un igtb supportant bien sûr une forte tension (1500 à 2000v minimum).
Mais pour les premières vérifications, un simple mosfet du style IRF630 (200v/12A) conviendra parfaitement.
Le +Vcc étant bien sûr fourni par une alim variable, en commençant à 2 ou 3v par exemple.
Rechercher/bobiner une self qui aura un coefficient de surtension d'environ 100.
Très très réalisable.
Et si, soyons fous, la self testée possède un coefficient de surtension nettement supérieur à 100, pas de problème car il suffira de jouer sur le rapport cyclique pour contrôler l'amplitude de la surtension, jusqu'à nos 1000v désirés par exemple.
Et le plus important avec ce montage : nous nous affranchissons totalement d'une fréquence de résonance quelconque !
La reproductibilité du système est garanti à 100% !
Nous pouvons employer la fréquence que l'on veut, celle qui aura le plus d'impact sur les molécules d'eau pourquoi pas
Nous aurons quand même une limitation dans les fréquences hautes bien sûr (par rapport à la self).L'amplitude de la surtension dépendra essentiellement de la valeur de la self (plus forte valeur = surtension plus importante) et de la capacité parasite de cette même self.
Cette capacité doit être la plus faible possible.
Pour ce faire, peut-être un montage en nid d'abeilles serait souhaitable.
Je pense donc que ce dernier montage devrait être testé en premier.
De toute façon, dans la mesure où, dans tous les cas, une ou deux selfs sont nécessaires, plus le mosfet, cette vérification est la plus rapide à mettre en œuvre et à vérifier.
Et qui sait...
@++